（电子设计创新大会）于4月9日至10日在北京会议中心正式召开。 已经三年多了。 作为无线通信行业工程师的专业交流平台，本次会议再次汇聚了射频、微波、无线设计行业的精英。 企业，讨论和分享当前在通信、消费、航空航天等领域的应用技术。 三安集成作为复合射频前端器件综合服务商，受邀参加本次会议并进行技术报告分享。
三安集成受邀参加2024年技术报告会并分享。
随着 5G 发展到 Rel. 18及更高版本，驱动射频前端迭代至最新的Phase 8架构，集成度进一步提升。 三安集成新一代砷化镓射频器件制造工艺符合市场主流模块化趋势，可为客户提供更高性能的解决方案。
射频前端PA器件功放管主要采用砷化镓HBT工艺，追求高频条件下的高线性度、稳定性和放大效率。 三安集成通过外延材料和工艺的改进，开发了HP1/HP2工艺。 与上一代HG6/HG7相比，IMD3和PAE都有显着改进，可以满足复杂工况下稳定信号输出的需求。 。 同时，采用新一代铜柱技术，可以使晶圆薄型化、轻量化并具有良好的散热特性，缩小模块尺寸，降低成本，提高系统整体性能。
三安集成砷化镓研发部总监郭家渠在报告中提到，三安集成的砷化镓HBT工艺已覆盖2/3/4G、Sub-6GHz、Wi-Fi 7等无线通信应用，并将研发资源投入到更高的领域。频率应用。
砷化镓PHEMT是三安集成的另一工艺系统。 目前已进展至0.1um工艺节点，可满足客户Ka至W频段的高频应用，并实现良好的信号强度和低噪声系数。 成熟的P25工艺型谱广泛应用于接收模块以及中大功率手机和基站。 与上一代相比，新一代工艺的OIP3系数显着提升，展现出优异的产品竞争力。
“三安集成拥有丰富的大规模制造经验，秉承‘客户至上’的精神，为客户和市场提供更高品质的制造服务，帮助客户实现商业成功，共同推动无线通信行业的发展和繁荣。行业。” 郭嘉曲部长补充道。
关于三安集成
三安集成成立于2014年，是一家专注于复合射频前端芯片制造的集成解决方案提供商，提供砷化镓射频前端代工服务、滤波器产品以及先进应用封装代工服务。 主要服务于智能手机、通信模块、Wi-Fi、民用基站等应用领域。
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